特許
J-GLOBAL ID：200903011673980390

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者：
大西 裕明

大西 裕明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227896
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造に関し、素子部の温度(Tj)の低減に効果的な構造を得る。【構成】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタに接続されるエミッタ配線と接続され、基板上または基板上に作成されたエピタクシャル層に作成された放熱用電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタに接続されるエミッタ配線と接続され、基板上または基板上に作成されたエピタクシャル層に作成された放熱用電極を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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