マイクロエレクトロニク構造および形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074755
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 HSQを集積回路構造内へ集積する改良された方法および、特に多層配線を必要とする、過程を提供する。【解決手段】配線14が最初に基板10上にパターン化されエッチングされる。ヒドロジンシルセスキオキサン(HSQ)等の低k材料がウエーハ表面を横切してスピンコートされ配線間の領域を埋める。SiO2 20等のキャッピング層が低k材料の頂部に形成される。次に、HSQが加熱硬化される。次に、薄いSiO2 平坦化層22を形成して平坦化することができる。別の実施例では、HSQおよびSiO2 プロセスステップを繰り返して多層HSQとすることができる。

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニク構造の形成方法であって、該方法は、(イ)半導体基板を設けるステップと、(ロ)前記基板上にヒドロジンシルセスキオキサン層を形成するステップと、(ハ)前記ヒドロジンシルセスキオキサン層にキャッピング層を形成するステップと、(ニ)ヒドロジンシルセスキオキサン層を炉で硬化するステップと、からなる方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-030667 出願人：日本電気株式会社
多層配線形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-201590 出願人：ヤマハ株式会社
積層低誘電率技術
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-514582 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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