高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192734
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【解決手段】式(1)の繰り返し単位(m単位及びn単位)を有する高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>はF又はFを有するアルキル基、R<SP>2</SP>はアルキル基又はフッ素化アルキル基、R<SP>3</SP>はメチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子、aは0〜2、R<SP>4a</SP>、R<SP>4b</SP>、R<SP>5a</SP>及びR<SP>5b</SP>はH、OH、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、(CH<SB>2</SB>)<SB>c</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>6</SP>、又は(CH<SB>2</SB>)<SB>c</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>6</SP>)、R<SP>6</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>7</SP>はH、F、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、少なくとも1個以上のフッ素原子を含む。0<m<1、0<n<1、0<m+n≦1、bは0又は1、cは0〜6。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位(m単位及びn単位)を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>はフッ素原子又は少なくとも1個以上のフッ素原子を有する炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。R<SP>2</SP>は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基を示す。R<SP>3</SP>はメチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。aは0〜2の整数である。R<SP>4a</SP>、R<SP>4b</SP>、R<SP>5a</SP>及びR<SP>5b</SP>は水素原子、水酸基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、(CH<SB>2</SB>)<SB>c</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>6</SP>、又は(CH<SB>2</SB>)<SB>c</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>6</SP>)である。R<SP>6</SP>は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。また、R<SP>4a</SP>、R<SP>4b</SP>、R<SP>5a</SP>及びR<SP>5b</SP>はこれらの2つが結合して環を形成していてもよい。環を形成する場合は、酸素原子又はエステル基を含んでもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基である。R<SP>7</SP>は水素原子、フッ素原子、同一又は異種の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、少なくとも1個以上のフッ素原子を含む。0<m<1、0<n<1であり、0<m+n≦1である。bは0又は1であり、cは0〜6の整数である。)

IPC (5件)：

C08F220/10 , C08F212/14 , C08F232/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

C08F220/10 , C08F212/14 , C08F232/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (62件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07Q , 4J100AL08P , 4J100AL16P , 4J100AL21P , 4J100AL26P , 4J100AR09Q , 4J100AR11Q , 4J100AS17Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20Q , 4J100BA22Q , 4J100BA29Q , 4J100BA30Q , 4J100BA31Q , 4J100BA51Q , 4J100BA55Q , 4J100BB07Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC02Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC43Q , 4J100BC45Q , 4J100BC53Q , 4J100BC58P , 4J100BC83P , 4J100BC83Q , 4J100CA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

含フッ素アクリレート誘導体とその製造法、およびそれを用いた高分子化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-226582 出願人：セントラル硝子株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-332641 出願人：住友化学工業株式会社

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