特許
J-GLOBAL ID：200903011770611072
荷電粒子線露光方法および荷電粒子線露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059659
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260687
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 投影像の歪を小さくして高精度なパターン転写を行うことができる荷電粒子線露光方法の提供。【解決手段】 マスク5上に設けられた複数のサブフィールド51にそれぞれパターンを形成し、サブフィールド51毎に電子EBを順に照射してパターンの像をウェハ11上に投影露光する荷電粒子線露光方法において、サブフィールド51の像の歪を各サブフィールド51毎に予め計測し、その計測値に基づいてサブフィールド51の像の歪を焦点補正コイル21および非点補正器22で構成される動的補正系によりサブフィールド51毎に補正しつつ露光する。サブフィールド51の像の歪計測については、例えば、歪計測用パターン302が形成された評価用マスク30を用いて予め計測する。
請求項（抜粋）：
マスク上に設けられた複数の小領域にそれぞれパターンを形成し、前記小領域毎に荷電粒子線を順に照射して前記パターンの像を感応基板上に投影露光する荷電粒子線露光方法において、前記感応基板上に投影される前記小領域の像の歪を各小領域毎に、かつ、偏向位置毎に予め計測し、その計測値に基づいて前記小領域の像の歪を焦点補正コイルおよび非点補正器で構成される動的補正系により小領域毎に補正しつつ露光することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/207
H01L 21/30 541 M
, G03F 7/20 504
, G03F 7/207 H
