特許
J-GLOBAL ID：200903011771025363

改造プレ-ナ型モジュ-ル

発明者：
コートニー ハルニバル

コートニー ハルニバル について


出願人/特許権者：
インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション

インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274399
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 改造可能なプレーナ型モジュールに適したパッケージ概念を提供する。【解決手段】 絶縁性金属基板(IMS)150は、パワー型半導体デバイスを支持し、支持基板102の開口部内に形成されている。IMSの底面104又は下方部は拡張され、ヒートシンクとの熱的接触がなされる。回路基板110は、低消費電力型デバイスを支持し相互に連結している。また、回路基板は、支持基板の離れた位置に配設され、IMSの上方に開口部を有している。回路基板は、低消費電力型デバイスと接続されたボンディングパッドを有している。ボンディングワイヤ156は、プリント基板上のボンディングパッドとIMS基板上のパワーデバイスとの間を接続する。ハイグレード注入材158がIMS基板の上部に盛られており、ローグレード注入材が本モジュールの残りの部分に盛られる。回路基板およびIMSの上部には、上カバーが取り付けられる。
請求項（抜粋）：
改造可能なプレーナ型のモジュールであって、表面および裏面を有すると共に、前記表面から前記裏面に向かって拡張された開口部を有する支持体と、前記支持体内の前記開口部に配置された基板であって、当該基板の裏面が、前記支持体の前記裏面の下方に配置された外付用のヒートシンクに接触するように配置された平面型の熱的伝導性基板と、前記熱的伝導性基板の表面側に搭載された少なくとも1つの半導体デバイスと、前記支持体の前記表面の上方であって空間的に離れた位置に配置され、前記熱的伝導性基板の上方に開口部を有する少なくとも1つの回路基板と、前記回路基板の表面に搭載された別のデバイスと、前記回路基板の前記表面は、当該回路基板内の前記開口部の周辺に配置され、かつ、前記別のデバイスに電気的に接続される少なくとも1つのボンディングパッドを有し、前記半導体デバイスを前記ボンディングパッドに接続するボンディングワイヤとを具えたことを特徴とする半導体デバイスモジュール。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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