太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298622
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101055
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】拡散層表面部分の高濃度領域のみを、容易にエッチングして拡散層全体をエッチングされないようにすることができ、基板表面へのダメージを生じ難くして、良好なデバイス特性を得ることができる。【解決手段】 p型Si基板1の表面部分に不純物のリンを導入して拡散させてn型の拡散層2を形成した後、p型Si基板1上に形成されたn型拡散層2を、弗化水素酸と過酸化水素水を混合させた水溶液で浸漬処理することにより、過酸化水素水によるシリコンの酸化処理と弗化水素酸によるシリコン酸化膜のエッチング処理の2段階処理を行い、n型拡散層2表面部分のリンの高濃度領域を除去する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板表面部分に不純物を導入して拡散させて第2の導電型の拡散層を形成する工程と、前記第2の導電型の拡散層を、弗化水素酸と過酸化水素水を混合させた水溶液で浸漬処理する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/308 B , H01L 31/04 A

Fターム (11件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F051AA02 , 5F051CB20 , 5F051CB21 , 5F051CB29 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051HA02 , 5F051JA03 , 5F051JA04

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平2-230776
特開平3-208900
特開平3-120719

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