特許

J-GLOBAL ID：200903031921521489

半導体ウェハの加工歪層深さの測定方法

発明者： 前田 正彦 ,  原田 恭光 ,  元浦 久実 ,  浅野 英一
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112485
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【目的】 鏡面加工された半導体ウェハを評価するために、従来なかった鏡面加工後の半導体ウェハ表面の加工歪層の深さを測定する測定方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハを鏡面研磨する。研磨された複数の半導体ウュハをエッチングする。エッチングするに当たり、それぞれの半導体ウェハのエッチングにおける取代を変化させる。エッチングされた半導体ウェハの酸化膜耐圧を測定する。良品率を算定する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1枚の鏡面加工された半導体ウェハの表面をエッチングした後に、酸化膜耐圧を測定することにより加工歪層の深さを測定することを特徴とする半導体ウェハの加工歪層深さの測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/18 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/66 L ,  G01B 21/18 ,  H01L 21/308 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-148630   出願人：信越半導体株式会社
• シリコンウェーハとその製造方法および品質評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-002826   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社