特許
J-GLOBAL ID：200903011813668812
半導体レーザ装置、及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067930
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261835
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 窓構造形成時における品質劣化の少ない半導体レーザ装置,及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 量子井戸構造活性層3上にp-Alr Ga1-r As(r=0.3)第1上クラッド層4を形成し、レーザ共振器端面となる部分の近傍領域にイオン注入を行った後、アニールを行い、量子井戸構造活性層3をディスオーダして窓構造領域8を形成した後、p-Alr Ga1-r As(r=0.3)第2上クラッド層4bを結晶成長させ、この第2上クラッド層4bの上部に選択エッチングによりリッジストライプ形状部15を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に順次配置された第1導電型下クラッド層、活性層、その上部にリッジストライプ形状部を有する第2導電型上クラッド層と、上記第2導電型上クラッド層の、上記リッジストライプ形状部の上部を除く領域上に形成された絶縁膜と、上記リッジストライプ形状部のストライプが伸びる方向に対して垂直に設けられたレーザ共振器端面と、上記活性層の、レーザ共振器端面近傍領域のうちの、上記リッジストライプ形状部の下方に位置する領域近傍に設けられた、該活性層を不純物のイオン注入と熱処理とによりディスオーダしてなる窓構造領域とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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