特許

J-GLOBAL ID：200903011829836065

III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ

発明者： 三木 久幸 ,  塙 健三 ,  佐々木 保正
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-291082
公開番号（公開出願番号）：特開2008-106316
出願日： 2006年10月26日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。【解決手段】基板11上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、III族元素としてGaを含むIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含むIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法であって、 前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタすることを特徴とするIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 14/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/38

FI (7件)：

C23C14/06 A ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/06 ,  C23C14/34 N ,  C23C14/38

Fターム (49件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA12 ,  4G077DB18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF02 ,  4G077EF04 ,  4G077EH10 ,  4G077HA02 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC28 ,  4K029DC31 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029FA07 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP30 ,  5F173AP33 ,  5F173AR81

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特許第3026087号公報
  
• 特開平4-297023号公報
  
• 特公平5-86646号公報
  
• 特許第3440873号公報
  
• 特許第3700492号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-215462   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121692   出願人：豊田合成株式会社