特許
J-GLOBAL ID：200903078063791525

半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板

発明者：
牛田 泰久

牛田 泰久 について

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西島 和樹

西島 和樹 について

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五所野尾 浩一

五所野尾 浩一 について

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白木 友晴

白木 友晴 について

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瀧 哲也

瀧 哲也 について

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伊藤 潤

伊藤 潤 について

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千田 昌伸

千田 昌伸 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-036561
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。【解決手段】各非縦方向成長部4の上面では、xy平面に平行にr面が結晶成長し、これらの個々のr面は、側壁面1bの近傍に若干のボイド5を形成しつつも、ストライプ溝Sを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で50分間、非縦方向成長部4のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、r面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 : 990〔°C〕 結晶成長速度 : 0.8〔μm/min〕 供給ガス流量比(V/III 比): 5000【選択図】図3-C
請求項（抜粋）：
結晶成長基板に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体結晶を結晶成長させる方法であって、 前記結晶成長基板が有する平面状の主面上に、互いに平行で、内壁面が平面で構成された複数のストライプ溝を形成する溝形成工程と、 前記ストライプ溝の一つの主内壁面上に、バッファ層を積層するバッファ層積層工程と、 前記バッファ層が供する結晶成長面上に前記半導体結晶をファセット成長又は横方向成長させる非縦方向成長工程と、 前記主面に対して垂直な方向に、前記半導体結晶を結晶成長させる本成長工程と を有し、 前記ストライプ溝の前記主内壁面と前記主面とが成す第1の角θ1 は、前記半導体結晶のc軸と前記半導体結晶のピエゾ電界が零となる結晶方位との成す第2の角θ0 に対して、θ0 -10°≦θ1 ≦θ0 +10°を満たす ことを特徴とする半導体結晶の結晶成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (42件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC16 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP20 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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