特許

J-GLOBAL ID：200903092872150665

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  浅見 静代
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121692
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308010
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 スパッタ法を用いてIII族窒化物系化合物半導体層を基板上に形成する際の好適な条件を提案する。【解決手段】 サファイア基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層として、AlGaNまたはAlN層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする。第1のIII族窒化物系化合物半導体層の上に、第2のIII族窒化物系化合物半導体層をMOCVD法により形成する。

請求項（抜粋）：

基板上へ第1のIII族窒化物系化合物半導体層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の110%以下とする、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (28件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA29 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB16 ,  5F103BB27 ,  5F103BB33 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103PP15 ,  5F103RR08

引用特許：

出願人引用 (3件)

• マグネトロンスパッタ成膜における成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-256442   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-173829
  
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266499   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (1件)

• マグネトロンスパッタ成膜における成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-256442   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy

審査官引用 (1件)

• Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy