特許

J-GLOBAL ID：200903011832595338

窒化アルミニウム結晶の製造方法、窒化アルミニウム結晶、窒化アルミニウム結晶基板および半導体デバイス

発明者： 水原 奈保 ,  宮永 倫正 ,  川瀬 智博 ,  藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-343915
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214547
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるAlN結晶の製造方法、AlN結晶、AlN結晶基板およびそのAlN結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。【解決手段】SiC種結晶基板3の表面上にAlN結晶8を成長させる工程と、SiC種結晶基板3の表面からAlN結晶8側に2mm以上60mm以下の範囲8aにある少なくとも一部のAlN結晶8bを取り出す工程と、を含む、AlN結晶8の製造方法である。また、その方法により得られるAlN結晶8、AlN結晶基板およびそのAlN結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiC種結晶基板の表面上に窒化アルミニウム結晶を成長させる工程と、前記SiC種結晶基板の表面から前記窒化アルミニウム結晶側に2mm以上60mm以下の範囲にある少なくとも一部の窒化アルミニウム結晶を取り出す工程と、を含む、窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 C

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  5F045AA00 ,  5F045AB09 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• AlN結晶の成長方法、AlN結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-163500   出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• AlN bulk crystals grown on SiC seeds
• Bulk AlN crystal growth: self-seeding and seeding on 6H-SiC substrates
• X-ray characterization of bulk AIN single crystals grown by the sublimation technique