特許
J-GLOBAL ID：200903011684346331
AlN結晶の成長方法、AlN結晶基板および半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-163500
公開番号（公開出願番号）：特開2005-343722
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 大型のAlN結晶が得られるAlN結晶の成長方法、AlN結晶基板およびAlN結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】 HVPE法により成長させた第1のAlN種結晶1を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶2の成長方法。また、種結晶として、上記のAlN結晶の成長方法により得られたAlN結晶2の少なくとも一部である第2のAlN種結晶1を準備し、この第2のAlN種結晶1を用いて昇華法によりAlN結晶2を成長させるAlN結晶の成長方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
HVPE法により成長させた第1のAlN種結晶を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EE06
, 4G077FG11
, 4G077SA01
審査官引用 (7件)
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窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
公報種別：公表公報
出願番号：特願2001-515359
出願人：ボダコフ,ユーリアレクサンドラビッチ, カルポフ,セルゲイユーリエビッチ, マカロフ,ユーリーニコラエビッチ, モホフ,エフゲニーニコラエビッチ, ラム,マルクグリゴーリエビッチ, ロエンコフ,アレクサンドルドミトリエビッチ, セガール,アレクサンドルソロモノビッチ
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窒化物半導体素子及びそれを用いた発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-333613
出願人：日亜化学工業株式会社
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炭化ケイ素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-037120
出願人：日新製鋼株式会社
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