特許

J-GLOBAL ID：200903011858466030

タイミング情報による逆結合効果

発明者： チェン ジアン
出願人/特許権者： サンディスク コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-540159
公開番号（公開出願番号）：特表2009-516318
出願日： 2006年11月08日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

不揮発性メモリセルの浮遊ゲート(または他の電荷蓄積素子)に蓄積される見かけ上の電荷がシフトすることはあり得ることであるが、これは、隣の浮遊ゲート(または他の隣接する電荷蓄積素子)に蓄積されている電荷によって電界が結合するからである。この問題がもっとも顕著に表れるのは、互いに異なった時間にプログラムされた隣接するメモリセルの集合間である。この結合を補償するために、所定のメモリセルに対する読み出しプロセスが隣のメモリセルがこの所定のメモリセルの後にプログラムされている場合には、読み出しプロセスを隣のメモリセルのプログラム状態を考慮して実行する。隣のメモリセルが所定のメモリセルの後にプログラムされているのか、前にプログラムされているのかを判定する技法を開示する。

請求項（抜粋）：

不揮発性記憶装置を動作させる方法であって、 1つ以上の不揮発性記憶素子に記憶されているデータの集合に対してカスタマイズされているタイミング情報にアクセスするアクセスステップと、 前記タイミング情報に基づいて前記データ集合中の1つ以上の潜在的なエラーを選択的に補償するステップを実行するとともに前記1つ以上の不揮発性記憶素子から前記データ集合を読み出す読み出しステップ、 を有している方法。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04

FI (6件)：

G11C17/00 613 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 601E

Fターム (34件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA19 ,  5B125CA20 ,  5B125CA21 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125DE08 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125FA01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 隣接メモリセルとのフィールド結合によって、影響を受けたメモリセルからのデータ回復を行う技法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-011503   出願人：サンディスクコーポレイション
• 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-117333   出願人：株式会社東芝