特許

J-GLOBAL ID：200903011865345434

薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 安田 亨寧
出願人/特許権者： NEC液晶テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304134
公開番号（公開出願番号）：特開2007-114360
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】 配線層それ自体の厚さの増加及びアンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下と、生産性の低下、製造コストの上昇という難点を生じないで、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消できる液晶表示装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に形成されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層2を、第1配線層2の一部を露出させるコンタクトホール33を持つ第1絶縁層3で覆う。メッキ法で堆積した金属よりなる第1導電材9bをコンタクトホール33中に配置し、第1配線層2の露出部分に接触させ且つその露出部分全体を覆う。第1導電材9b上に第1透明導電層10bを形成し、第1透明導電層10bを第1導電材9bを介して第1配線層1に電気的に接続する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層と、 前記第1配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第1絶縁層と、 前記コンタクトホール中で前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第1導電材と、 前記第1導電材に接触せしめられた第1透明導電層とを備え、 前記第1透明導電層は、前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5件)：

G02F 1/136 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F1/1368 ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 N ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616U

Fターム (92件)：

2H092GA40 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB21 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK10 ,  5F033KK17 ,  5F033KK20 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX02 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL26 ,  5F110HM03 ,  5F110HM18 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ型液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226865   出願人：株式会社フロンテック
• TFT基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-199728   出願人：三星電子株式会社