特許
J-GLOBAL ID:200903055004538786

薄膜トランジスタ型液晶表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-226865
公開番号(公開出願番号):特開平11-064887
出願日: 1997年08月22日
公開日(公表日): 1999年03月05日
要約:
【要約】【課題】 アルミニウム層とITO層を簡便かつ確実に接続することのできる薄膜トランジスタ型液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記一方の基板の前記液晶が挟持される側の面上にアルミニウム層が形成され、このアルミニウム層を覆う絶縁層に前記アルミニウム層表面に達するコンタクトホールが設けられるとともに、このコンタクトホールの内面を含む前記絶縁層上にインジウムスズ酸化物層が形成され、前記コンタクトホールの底面上において前記インジウムスズ酸化物層と前記アルミニウム層の間にシリサイド層が介在している。
請求項(抜粋):
一対の基板間に液晶が挟持され、前記一方の基板の前記液晶が挟持される側の面上にアルミニウム層が形成され、このアルミニウム層を覆う絶縁層に前記アルミニウム層表面に達するコンタクトホールが設けられるとともに、このコンタクトホールの内面を含む前記絶縁層上にインジウムスズ酸化物層が形成され、前記コンタクトホールの底面上において前記インジウムスズ酸化物層と前記アルミニウム層の間にシリサイド層が介在していることを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
IPC (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 335 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786
FI (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 335 ,  H01L 21/90 B ,  H01L 29/78 612 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
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