固体撮像素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130317
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330562
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】画素部を微細化しても、垂直CCD部における転送電荷量の低下を招くことのない素子構造を備えた固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【構成】 N(100)シリコン基板1に第1p型ウエル2と第2p型ウエル3を形成し、第2p型ウエル3内に垂直CCDn+ 層4を形成した後、垂直CCDn+ 層4の上層部を含むN(100)シリコン基板1の表面層に不純物原子(P,As)イオン注入してp- 層5を形成し、垂直CCDn+ 層4の隣接部に、フォトダイオード部(8、9)と垂直CCDn+ 層4との分離を行う分離部5aと,垂直CCDn+ 層4からの電荷の読み出しを制御する読み出し制御部5bとを同時形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、各々がフォトダイオード部,当該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送するための垂直転送部,及び前記フォトダイオード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する2つの画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子において、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子がドープされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不純物層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前記分離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し制御部にしたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H04N 5/335 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-152675
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-206365 出願人：日本電気株式会社
埋込みチャンネル型電荷結合装置イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-267883 出願人：アールシーエーコーポレーシヨン

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審査官引用 (5件)

特開平4-152675
特開平4-152675
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-206365 出願人：日本電気株式会社

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