特許
J-GLOBAL ID：200903011891391088

半導体記憶装置

発明者：
細谷 啓司

細谷 啓司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241132
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060165
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 リファレンスセル部の抵抗値のばらつきを抑制する。【解決手段】 半導体装置は、第1のTMR素子13を有するメモリセル部10と、第1のデータを記憶する第2のTMR素子31aと第2のデータを記憶する第3のTMR素子32aとをそれぞれ少なくとも1つ以上有するリファレンスセル部30とを具備する。
請求項（抜粋）：
抵抗変化によって2値のデータを記憶する抵抗素子を備えた半導体記憶装置であって、第1の抵抗素子を有するメモリセル部と、第1のデータを記憶する第2の抵抗素子と、第2のデータを記憶する第3の抵抗素子とをそれぞれ少なくとも1つ以上有するリファレンスセル部とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA24 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA60 ,  5F083LA01 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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