特許
J-GLOBAL ID：200903098498770121

薄膜磁性体記憶装置

発明者：
日高 秀人

日高 秀人 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243983
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017665
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 一様な磁化特性を有するトンネル磁気抵抗素子によって各メモリセルが構成された薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 磁性体メモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子TMRは、一定方向の固定磁界を有する固定磁気層102と、印加磁界によって磁化される自由磁気層103と、トンネル接合領域115において固定磁気層102と自由磁気層103との間に設けられる絶縁体膜であるトンネルバリアとを有する。自由磁気層103において、メモリセルとして望まい特性を有する磁化容易軸領域110に相当する領域が、トンネル接合領域115として用いられる。一方、メモリセルとして望ましくない特性を有する磁化困難軸領域112,114は、トンネル磁気抵抗素子TMRの構成部分としては、用いられない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される薄膜磁性体記憶装置であって、データ記憶を実行するための複数のメモリセルを備え、各前記メモリセルは、導通時にデータ読出電流の経路を形成するためのアクセス素子と、前記アクセス素子と直列に結合されて、記憶データに応じて電気抵抗が変化する磁気記憶部とを含み、前記磁気記憶部は、前記半導体基板上に形成され、固定の磁化方向を有する第1の磁性体層と、前記半導体基板上に形成され、外部からの印加磁界に応じた方向に磁化される第2の磁性体層と、前記第1および第2の磁性体層の間に形成される絶縁膜とを含み、前記磁気記憶部は、第2の磁性体層の平面方向の一部の所定領域を用いて形成される、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  G11C 29/00 671 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 43/08
FI (7件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  G11C 29/00 671 Z ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (7件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA28 ,  5L106DD00 ,  5L106DD11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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