特許

J-GLOBAL ID：200903011897842260

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 小林 清輝 ,  坂本 治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386163
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188290
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置におけるメモリトランジスタの性能を向上し、信頼性を向上し、かつ微細化も容易とする。【課題手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する半導体基板1と、半導体基板1の主表面に間隔をあけて形成されたN+拡散層2〜4と、N+拡散層2,4間の領域上にシリコン酸化膜5を介して形成されたフローティングゲートと、フローティングゲートと隣接してN+拡散層2,4間の領域上にシリコン酸化膜5,8を介して形成されたアクセスゲートと、フローティングゲート上に層間絶縁膜15を介して形成されたコントロールゲートとを備える。N+拡散層2はフローティングゲート間に設けられ、N+拡散層4はアクセスゲート間に設けられる。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に間隔をあけて形成された第2導電型の第1と第2不純物拡散層と、前記第1と第2不純物拡散層間の領域上に第1絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートと隣接して前記第1と第2不純物拡散層間の領域上に第2絶縁膜を介して形成されたアクセスゲートと、前記フローティングゲート上に第3絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートと、前記第2不純物拡散層を挟んで前記アクセスゲートと隣り合う位置に設けられた他のアクセスゲートと、を備えた、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (34件)：

5F083EP05 ,  5F083EP34 ,  5F083EP36 ,  5F083EP37 ,  5F083EP55 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR09 ,  5F083PR37 ,  5F083PR40 ,  5F101BA12 ,  5F101BA15 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272623   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-178465   出願人：株式会社リコー