ポリッシング方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345292
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ等の基板上に形成されたCu層を均一に除去し、基板面上に形成された微細溝及び/又は微細孔に形成されたCu配線部をディッシングやエロージョン等のオーバーポリッシュ(過研磨)を生ずることなく平坦かつ均一に研磨する。【解決手段】半導体ウエハ20上の配線溝にCu層31が形成されるとともに配線溝30a,30bの形成されていない表面上にCu層31が形成された半導体基板20を、ターンテーブル9上の研磨面に摺接させてCu層31が所定の膜厚になるまで研磨する第1研磨工程と、第1研磨工程後の半導体ウエハ20をターンテーブル9上の研磨面に摺接させて配線溝30a,30bに形成されたCu層31を残して半導体ウエハ20の表面上のCu層31を除去するとともにバリヤメタル層32を除去するまで研磨する第2研磨工程とを備えた。

請求項（抜粋）：

半導体基板にCu配線を形成する際に化学機械的研磨プロセスによりCu層を研磨するポリッシング方法において、半導体基板上の配線溝にCu層が形成されるとともに配線溝の形成されていない表面上にCu層が形成された半導体基板を、ターンテーブル上の研磨面に摺接させてCu層が所定の膜厚になるまで研磨する第1研磨工程と、第1研磨工程後の半導体基板をターンテーブル上の研磨面に摺接させて配線溝に形成されたCu層を残して半導体基板の表面上のCu層を除去するとともにバリヤメタル層を除去するまで研磨する第2研磨工程とを備えたことを特徴とするポリッシング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 37/04 , B24B 49/12

FI (6件)：

H01L 21/304 621 C , H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 S , B24B 37/00 K , B24B 37/04 K , B24B 49/12

Fターム (11件)：

3C034CA02 , 3C034CA22 , 3C034CB03 , 3C034DD01 , 3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058BB02 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

フィルム厚の変化のその場での監視方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-087858 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
研磨過程モニタ装置及びそのモニタ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-313021 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-175842 出願人：株式会社日立製作所

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