特許
J-GLOBAL ID：200903011950556371

電導性構成の製造プロセス

発明者：
イリアン ウー

イリアン ウー について

, 
ベン エス オン

ベン エス オン について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184405
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028390
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】電子デバイスの電導性構成又は素子を製造するのに適した低価格の方法及び組成物を得る。【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、半導体層と接触するソース電極と、半導体層と接触するドレイン電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート誘電体とを含む薄膜トランジスタを製造する、ステップを含み、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極からなる群から選択される少なくとも1つの電極が、(i)結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、(ii)堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、ステップを含む電極製造プロセスにより形成される、ことを特徴とするプロセス。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電導性構成を製造するためのプロセスであって、 (a)結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、 (b)前記堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、 ステップを含むことを特徴とするプロセス。
IPC (8件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/368
FI (10件)：
H01L21/288 Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/368 L
Fターム (34件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR13 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • Takamatsuによる米国特許番号第6,197,366B1
  • Kodas他による米国特許番号第6,951,666B2
  • Yiliang Wu他による(代理人整理番号第A3401-US-NPに対応する)米国特許出願公開番号第20050129843A1
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審査官引用 (3件)

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