特許

J-GLOBAL ID：200903011959477288

バルク単結晶ガリウム含有窒化物およびその用途

発明者： ロベルト・ドヴィリニスキ ,  ロマン・ドラジニスキ ,  イエジ・ガルチニスキ ,  レシェック・シェシュプトフスキ ,  神原 康雄 ,  ロベルト・クチャルスキ
出願人/特許権者： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ,  日亜化学工業株式会社
代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  石井 久夫 ,  田村 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551658
公開番号（公開出願番号）：特表2008-501600
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が104/cm2を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。

請求項（抜粋）：

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、前記シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が104/cm2を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子の曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、前記シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  C30B 7/10

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/00 ,  C30B7/10

Fターム (21件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077CB03 ,  4G077CC04 ,  4G077EC10 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EH09 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077GA05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA03 ,  4G077KA07 ,  4G077LA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• WO 02/101120公報
  
• WO 03/035945公報
  

審査官引用 (2件)

• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018507   出願人：株式会社リコー
• ガリウム含有窒化物のバルク単結晶の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-143449   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社