特許
J-GLOBAL ID：200903011991929077

半導体記憶装置

発明者：
水島 永雅

水島 永雅 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 後藤 政喜 ,  藤井 正弘 ,  飯田 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-300338
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117195
出願日： 2006年11月06日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】メインフラッシュメモリと交替フラッシュメモリとライトキャッシュメモリとを搭載する半導体記憶装置において、ライトキャッシュメモリ用のRAMを削減する。【解決手段】メインメモリチップとその交替用のサブメモリチップとを持つ半導体記憶装置において、各メインメモリチップは不良化したメモリブロックの代替先として同一チップ内に複数の予備メモリブロックを持つ。そして、メインメモリチップで、代替先として未使用の予備メモリブロックの残り数が第1の所定値に達したことを検出したときに、サブメモリチップ内のメモリブロックのフォーマット処理を開始する。また、メインメモリチップの未使用の予備メモリブロックの残り数が第2の所定値になった時には、そのサブメモリチップ内のメモリブロックのフォーマット処理をバイパスしながら、メインメモリチップへの読み書きをサブメモリチップに切り替える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一括消去が可能な不揮発性のメモリブロックを複数備えた第1のメモリチップと、 一括消去が可能な不揮発性のメモリブロックを複数備えた第2のメモリチップと、 前記第1のメモリチップと前記第2のメモリチップを制御するコントローラと、 を有する半導体記憶装置であって、 前記コントローラは、 前記第1のメモリチップの前記メモリブロックの一部を、読み書きを行う使用中のメモリブロックとして割り当てる使用メモリブロック割り当て部と、 前記第1のメモリチップの前記メモリブロックの一部を予備のメモリブロックとして割り当てる予備メモリブロック割り当て部と、 前記第1のメモリチップの使用中のメモリブロックの劣化を検知する劣化検知部と、 前記劣化が検知された前記第1のメモリチップの使用中のメモリブロックに代わって、前記第1のメモリチップの予備のメモリブロックを前記使用中のメモリブロックとして切り換えるチップ内ブロック切換部と、 前記第1のメモリチップの未使用の前記予備のメモリブロックの数を検知し、前記未使用の予備のメモリブロックの数が第1の所定値となったか否かを判定する予備メモリブロック残数判定部と、 前記記第1のメモリチップの未使用の前記予備のメモリブロックの数が前記第1の所定値となったときに、前記第2のメモリチップのメモリブロックの初期化を開始するメモリブロック初期化部と、 前記第1のメモリチップの未使用の前記予備のメモリブロックの数が第2の所定値となったか否かを判定するメモリチップ切換判定部と、 前記第1のメモリチップの未使用の前記予備のメモリブロックの数が前記第2の所定値となっときに、前記初期化が完了した第2のメモリチップのメモリブロックを、前記第1のメモリチップに代わって使用中のメモリブロックとして割り当てるメモリチップ切換部と、 前記第1の所定値は、 前記第1のメモリチップの劣化の進行速度と、前記メモリブロック初期化部が実行する初期化の速度に基づいて、前記メモリブロック初期化部が前記初期化を開始した後に、前記第1のメモリチップの未使用の前記予備のメモリブロックの数が第2の所定値となる以前に、前記第2のメモリチップの前記メモリブロックの初期化を完了する値に設定されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G06F 12/16 ,  G11C 29/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (4件)：
G06F12/16 310Q ,  G11C29/00 601B ,  G11C17/00 601A ,  G11C17/00 639A
Fターム (26件)：
5B018GA04 ,  5B018HA21 ,  5B018HA23 ,  5B018HA24 ,  5B018KA14 ,  5B018KA18 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B125BA01 ,  5B125CA11 ,  5B125CA27 ,  5B125DD03 ,  5B125DD04 ,  5B125DE09 ,  5B125EA10 ,  5B125EF09 ,  5B125EK01 ,  5B125EK10 ,  5B125FA01 ,  5L106AA10 ,  5L106CC16 ,  5L106CC32 ,  5L106CC38 ,  5L106EE02 ,  5L106FF04 ,  5L106FF05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-289906   出願人：株式会社日立製作所
  • 記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357944   出願人：株式会社ハギワラシスコム

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