特許
J-GLOBAL ID：200903012001663589

半導体発光装置の製造方法

発明者：
原田 光範

原田 光範 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山崎 輝緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245038
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135300
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 簡単な構成により、発光素子からの励起光と波長変換剤による波長変換光との混色光に色ムラが発生せず、また波長変換剤が放出する熱が効率良く放熱され得るようにした半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ハウジング13上面に設けられたキャビティ13aの底面に発光素子14を配置し、上記キャビティ内に粒子状の波長変換剤を含む波長変換層15を形成する、半導体発光装置の製造方法であって、上記キャビティ内に波長変換剤を含む波長変換層を充填する工程が、まず上記キャビティ内にて、発光素子上に波長変換剤の濃度の高い第一の波長変換層16を塗布し、硬化させる段階と、次に上記キャビティ全体に波長変換剤の濃度の低い第二の波長変換層17を充填・塗布し、硬化させる段階とを含むように、半導体発光装置の製造方法を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
キャビティを有するハウジングと、 上記キャビティ底面に配置された発光素子と、 上記キャビティ内に粒子状の波長変換剤を含んだ波長変換層と、 を備える半導体発光装置の製造方法であって、 上記キャビティ内に波長変換層を形成する工程が、 発光素子上に第一の波長変換層を塗布し、硬化させる第一の工程と、 キャビティ全体に第二の波長変換層を充填・塗布し、硬化させる第二の工程と、 を含んでいることを特徴とする、半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (6件)：
5F041AA11 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276184   出願人：豊田合成株式会社, 松下電器産業株式会社
審査官引用 (5件)
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