特許
J-GLOBAL ID:200903012044275736
デバイス、その製造方法及び電子装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-119967
公開番号(公開出願番号):特開2003-318193
出願日: 2002年04月22日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】 液体材料を使用して製造されるデバイスにおいて、ゲート電極とソース/ドレイン領域との短絡が生じにくい構造を備えるデバイスを提供する。【解決手段】 デバイスは、絶縁基板(11)と、この絶縁基板の上に形成されたゲート電極膜(14)と、ゲート電極膜の上に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜上のゲート電極膜に対応する位置に形成された相対的に低不純物濃度の半導体膜(17)と、低不純物濃度の半導体膜の上に形成された分離膜(20)と、低不純物濃度の半導体膜と分離膜の両側に夫々形成された相対的に高不純物濃度の半導体膜(24,25)と、を含み、半導体膜(24,25)を液体材料で成膜する。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されたゲート電極膜と、前記ゲート電極膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極膜に対応する位置に形成された相対的に低不純物濃度の半導体膜と、前記低不純物濃度の半導体膜の上に形成された分離膜と、前記低不純物濃度の半導体膜と前記分離膜の両側に夫々形成された相対的に高不純物濃度の半導体膜と、を含むデバイス。
IPC (6件):
H01L 21/336
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/208
, H01L 21/288
, H01L 29/786
FI (11件):
G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/208 Z
, H01L 21/288 Z
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 616 K
Fターム (90件):
2H092JA26
, 2H092JA32
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA10
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092MA15
, 2H092MA22
, 2H092MA30
, 2H092MA41
, 2H092NA23
, 2H092NA27
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD51
, 5F052AA02
, 5F052BB07
, 5F052DA02
, 5F052DB09
, 5F052JA01
, 5F053AA50
, 5F053DD01
, 5F053FF01
, 5F053GG03
, 5F053HH05
, 5F053JJ01
, 5F053JJ03
, 5F053KK03
, 5F053KK10
, 5F053LL10
, 5F053PP03
, 5F053RR20
, 5F110AA02
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110BB01
, 5F110CC08
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE09
, 5F110EE41
, 5F110EE42
, 5F110EE48
, 5F110FF02
, 5F110FF21
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG32
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ16
, 5F110HJ23
, 5F110HK09
, 5F110HK25
, 5F110HK31
, 5F110HK32
, 5F110HK42
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL21
, 5F110HL22
, 5F110HL27
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN23
, 5F110NN36
, 5F110NN40
, 5F110NN72
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP27
, 5F110QQ09
, 5F110QQ12
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平3-159250
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シリコン膜パターンの形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-098154
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開平4-324938
-
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-116586
出願人:ソニー株式会社
-
特開平3-159250
-
特開平4-324938
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