特許
J-GLOBAL ID：200903011971895532

シリコン膜パターンの形成方法

発明者：
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について

, 
石田 方哉

石田 方哉 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098154
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284274
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 ミクロンオーダーの精度を有し、尚且つ、簡便な工程で良質なシリコン膜パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 基板11表面に有機分子膜12を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成するとともに、有機ケイ素化合物を含有した液体を親液部に選択的に塗布し、熱処理および/または光処理によって塗布膜をシリコン膜に変換することにより、親液部のみにシリコン膜16を形成する。
請求項（抜粋）：
基板表面に有機分子膜を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成する工程と、有機ケイ素化合物を含有した液体を前記基板上の親液部に選択的に塗布する工程と、熱処理および/または光処理によって前記液体の塗布膜をシリコン膜に変換する工程と、からなることを特徴とするシリコン膜パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/208 ,  C01B 33/02 ,  G03F 7/075 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/208 Z ,  C01B 33/02 D ,  G03F 7/075 ,  H01L 29/78 618 A
Fターム (40件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025BD20 ,  4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072MM01 ,  4G072UU01 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053GG06 ,  5F053HH05 ,  5F053PP01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F053RR20 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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