特許
J-GLOBAL ID：200903012046149746
フォトダイオードアレイ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319696
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 受光部におけるInP基板裏面からの散乱光の影響をなくすことを目的とする。【解決手段】 InP基板1とInGaAs光吸収層5の間に、InPバッファー層9、10間に挟まれたInGaAs散乱光防止層7を挿入し、InP基板の裏面で生じた散乱光を吸収させ、光が入射した受光部に隣接する受光部へ散乱光が到達しなくした。InGaAs散乱光防止層7はInP基板1と格子整合をなしている。
請求項（抜粋）：
受光部より入射した光がInP基板の裏面に到達することで生じる散乱光を制御するためのフォトダイオードアレイ素子であって、InP基板とInGaAs光吸収層の間に、InPバッファー層間に挟まれたInGaAs散乱光防止層を挿入し、該InGaAs散乱光防止層はInP基板と格子整合をなしていることを特徴とするフォトダイオードアレイ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
4M118AA05
, 4M118AB05
, 4M118BA06
, 4M118CA32
, 4M118CB01
, 4M118CB02
, 4M118CB03
, 5F049MA00
, 5F049MB07
, 5F049QA20
, 5F049RA02
, 5F049RA03
, 5F049SS04
