特許
J-GLOBAL ID：200903012056727241
高熱伝導性複合材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-013174
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213351
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：
【要約】【課題】 電子機器のヒートシンクやパッケージに最適な、低熱膨張係数(4.5〜10×10-6/K)で高熱伝導率(≧200W/mK)を具備したSiC-Cu系高熱伝導性複合材料を、低コストで提供する。【解決手段】 この複合材料は、SiC相を体積割合で20〜75%有し、残部が主にCuにより構成され、両者の界面に、反応防止層を有する構造を持つ。反応防止層は、炭素、あるいはCr、Nb、Ta、Wの中から選ばれる少なくとも一種の元素の炭化物からなる0.01〜10ミクロンの薄膜により形成される。この複合材料は、あらかじめSiC粉体の表面に上記反応防止層を形成し、その後、Cu粉末と混合の後、高温下で加圧焼結して得られる。
請求項（抜粋）：
SiC及びCuと反応せず、かつ、両相への固溶量も少ない元素あるいは化合物の薄い反応防止層を表面に有するSiC粉体を、体積割合で20〜75%含み、残部がCu粉末から成る混合粉末を加圧焼結して得られる焼結体で構成した高熱伝導性複合材料。
IPC (7件)：
C22C 1/05
, B22F 1/02
, B22F 3/14
, C22C 1/04
, C22C 9/10
, C22C 29/06
, C22C 32/00
C22C 1/05 E
, C22C 1/05 H
, B22F 1/02 D
, B22F 3/14 D
, C22C 1/04 A
, C22C 9/10
, C22C 29/06 Z
, C22C 32/00 B
4K018AA04
, 4K018AB02
, 4K018AD05
, 4K018BA02
, 4K018BA11
, 4K018BC25
, 4K018BC26
, 4K018BC28
, 4K018EA02
, 4K018KA32
