特許

J-GLOBAL ID：200903012078158747

薄膜誘電体及び薄膜コンデンサ素子

発明者： 堀野 賢治 ,  内田 清志 ,  齊田 仁
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-374944
公開番号（公開出願番号）：特開2007-179794
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】従来から、周囲の温度が高くなってもリーク特性が劣化せず十分なリーク特性を有する薄膜コンデンサ素子が求められている。そこで、本発明では、高温環境下でも比誘電率が高く、且つリーク特性が良好で、さらに製造容易な薄膜誘電体を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る薄膜誘電体は、組成式が(Sr1-xCax)yTiO3で表されるチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む薄膜誘電体であって、前記組成式中のx、yを0.2≦x≦0.6で且つ0.97≦y≦1.10としたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

組成式が(Sr1-xCax)yTiO3で表記されるチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む薄膜誘電体であって、 前記組成式の原子数比xを0.2≦x≦0.6とし且つ原子数比yを0.97≦y≦1.10としたことを特徴とする薄膜誘電体。

IPC (4件)：

H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33 ,  C04B 35/46

FI (5件)：

H01B3/12 326 ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/06 102 ,  C04B35/46 E ,  H01B3/12 304

Fターム (32件)：

4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E082AB03 ,  5E082BC15 ,  5E082BC23 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082PP01 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB06 ,  5G303CB18 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CD04 ,  5G303DA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置用インターポーザー、その製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-140836   出願人：新光電気工業株式会社
• 薄膜容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-257824   出願人：株式会社東芝