特許
J-GLOBAL ID：200903012122836529
半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041343
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253548
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】異常作動等に起因する極端な内圧の上昇による破損及びそれによる周辺への二次的影響が防止された半導体モジュールを提供することである。【解決手段】半導体モジュール10は、スイッチング素子として作用する半導体素子17、20と、半導体素子の一面に密接し一方電極13及び信号端子14が形成された一方電極板12と、半導体素子の他面に接触し他方電極29が形成された他方電極板28と、半導体素子、一方電極板及び他方電極板を封止した樹脂モールド30とから成る。樹脂モールド30は、半導体素子の上昇した内圧を外部に逃がす内圧逃がし部45から47、51から53が形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体素子と、
前記半導体素子の一面に密接し一方電極及び信号端子が形成された一方電極板と、
前記半導体素子の他面に接触し他方電極が形成された他方電極板と、
前記半導体素子、一方電極板及び他方電極板を封止した樹脂モールドと、
から成り、前記樹脂モールドは、前記半導体素子内の上昇した内圧を外部に逃がす内圧逃がし部が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L25/07
, H01L23/29
, H01L23/31
, H01L25/18
H01L25/04 C
, H01L23/36 A
, H01L23/30 Z
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB02
, 4M109DB15
, 4M109EE20
, 4M109GA02
, 5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BE01
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
