パワー素子を含む半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033445
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】半導体装置1個あたりの生産に要する時間及びコストを低減して、生産性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、メインフレーム上に2又はそれ以上のパワー素子を配して形成されるものであって、少なくともパワー素子の活性面どうしが金属の接続用フレームを介して接続されている。更に、パワー素子とフレームとの接続には導電性樹脂が用いられている。

請求項（抜粋）：

メインフレーム上に2又はそれ以上のパワー素子を配して形成される半導体装置であって、金属の接続用フレームを介して少なくともパワー素子の活性面どうしを接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

パワ-電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335770 出願人：アルストム・ホールデイングス
マルチチップモジュール型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-347150 出願人：株式会社東芝
特開昭60-101958

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