半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057728
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273027
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】基板の全面にわたって、または一部分に、結晶化を助長する元素を低濃度で均一性良く注入できるようにする。【構成】基板上に形成した非晶質半導体膜102中に、結晶化を助長する不純物元素を導入する手法として、該非晶質半導体膜102上に、該結晶化を助長する不純物元素を微量含んだ層103を形成後、熱拡散させる事により、基板全面にわたって均一かつ厳密に導入量の制御を行い、多結晶半導体膜105を作製する。また上記手法用いて作成した多結晶半導体膜105を用いる事により高性能薄膜トランジスタ素子を有する半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板の該絶縁性表面の上、または基板を覆って形成された絶縁膜の上に、非晶質半導体膜を形成する工程と、該非晶質半導体膜の上に、結晶化を助長する元素を微量添加した層を形成する工程と、加熱処理を行って、該層中の該元素を該非晶質半導体膜中へ拡散導入し、該非晶質半導体膜を多結晶化させる工程とを含む半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-140915
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-339397 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭61-058879

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