特許

J-GLOBAL ID：200903038225440126

半導体装置およびその作製方法

発明者： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  竹山 順一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161635
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を精密に制御する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上にニッケル等の触媒元素を含有した酸化膜13を形成し、550°C、4時間の加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、酸化膜中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。そしてこの結晶性珪素膜を用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含有した薄膜を保持させ、加熱処理を施すことにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-180219
  
• 特開平3-280420
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329761   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社