特許

J-GLOBAL ID：200903012142844030

銅相互接続構造の形成方法

発明者： ポウル・ディー・アグネロ ,  リーナ・ピー・ブックウォルター ,  ジョン・ハメル ,  バーバラ・ルーサー ,  アンソニー・ケイ・スタンパー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363949
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200832
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 相互接続構造内に存在する銅表面に対する無機バリア膜の接着性を改良する方法を提供する。【解決手段】 この発明は、デュアル・ダマシン構造のような半導体の相互接続構造内に存在する銅配線または銅バイアに対する付着無機バリア膜の接着性を増大するために、H2 ,N2 ,NH3 ,および希ガス、並びにこれらの混合物から選択される還元プラズマ処理工程を用いる。

請求項（抜粋）：

銅相互接続構造の形成方法において、(a)銅の層を有する相互接続構造を還元プラズマに暴露する工程と、(b)前記暴露された銅相互接続構造上に、無機バリア膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308006   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012429   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-249984   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191804   出願人：富士通株式会社