炭化ケイ素の金属拡散障壁層

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ウオーレン・ジー・シミオール
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250594
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】誘電材料によって分離された隣接導体間の金属原子の拡散を防止する障壁層として炭化ケイ素を提供することである。【構成】この優れた構成によって、集積回路および配線板に低抵抗率金属および低誘導率誘電体層を使用することができる。

請求項（抜粋）：

(A)固体デバイス領域を有する半導体基板、および半導体基板の表面に蒸着され固体デバイス領域を相互に接続する金属配線からなる回路サブアセンブリ;(B)少なくとも前記金属配線を被覆するアモルフアス炭化ケイ素層;および(C)少なくとも前記炭化ケイ素層を被覆する誘電体層からなることを特徴とする集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 R , H01L 21/88 Q

引用特許：

出願人引用 (6件)

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審査官引用 (43件)

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