特許

J-GLOBAL ID：200903012163655040

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者： 岩元 勇人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-336830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176791
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に残存している有害な副生成物、主としてフッ素Fを除去する。【解決手段】 レジスト膜5を除去するためのO2 プラズマによるアッシング処理を行った半導体基板1に対して、有機剥離液による洗浄処理を行う前に、アルコールによる洗浄処理を行うようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した層間絶縁膜上にメタル配線を形成し、該メタル配線を他の層間絶縁膜で覆った後、該他の層間絶縁膜をレジスト膜をマスクとしてドライエッチングをすることにより該層間絶縁膜に上記メタル配線に達するコンタクトホールを形成し、O2 プラズマにより上記レジスト膜に対するアッシング処理を施し、更にレジスト残渣及びポリマー除去のために有機系剥離液による洗浄を行う半導体装置の製造方法であって、上記プラズマによるアッシング処理により上記レジスト膜を除去した後、上記有機剥離液により洗浄処理する前に、アルコールによる洗浄処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト残渣物の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-317768   出願人：三菱電機株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-184667   出願人：ソニー株式会社