特許
J-GLOBAL ID：200903012171144500
記憶装置および強誘電体記憶装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013361
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027601
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 疲労劣化の少ない記憶装置および強誘電体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】 希土類マンガン酸塩からなるペロブスカイト薄膜を有する記憶装置と強誘電体記憶装置の製造方法が提供される。このペロブスカイト薄膜層は、質の高い不揮発記憶装置に適する特性を有する。このペロブスカイト薄膜層はMOCVDプロセス、MODプロセス、または液体原料搬送プロセスにより形成されうる。
請求項（抜粋）：
基板と、希土類マンガン酸塩からなる膜と、該膜上に形成された少なくとも1つの電極と、を備えた記憶装置。
IPC (7件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C01G 45/12
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C01G 45/12
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78 371
