特許
J-GLOBAL ID：200903047686234764
有機金属化学蒸着法による強誘電体膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280023
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 炭素混入及び窒素混入が防止でき、且つ安全な強誘電体膜の成膜方法を提供する。【構成】 鉛テトラメチルヘプタンジオネート[Pb(thd)2]、ジルコニウムテトラメチルヘプタンジオネート[Zr(thd)4]、及びチタニウムエトキシドを前駆物質とし、ホットウォール型反応炉10を用いて、有機金属化学蒸着法によって550°C程度の低温でサファイアディスク及びPt/Ti/SiO2/Si基板上にペロブスカイト構造を有する鉛ジルコネートタイタネートPb(ZrxTi1-x)O3薄膜を堆積する。
請求項（抜粋）：
鉛ジルコネートタイタネート薄膜を基板上に堆積する方法であって、反応炉内で該基板を加熱する工程、及び該基板を前駆物質から生成されるガス流にさらす工程を包含する方法。
引用特許：
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