特許
J-GLOBAL ID：200903012172675224
光ファイバー加工用位相シフトフォトマスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080738
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 光ファイバー加工用の位相シフトフォトマスク 製造方法を提供する。【解決手段】 石英基板の1面に格子状の凹溝を設け、これを光ファイバー加工用のグレーティング(格子)パターンとする位相シフトフォトマスクの製造方法であって、(A)石英基板上にクロム薄膜を成膜する工程、(B)クロム薄膜上に電子線レジストを塗布する工程、(C)電子線描画装置にて露光する工程、(D)現像液にて現像しレジストパターンを形成する工程、(E)レジストパターンをマスクとして、露出した部分のクロム薄膜をCH2 CCl2 ガスを用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターンを形成する工程、(F)クロム薄膜パターンをマスクとして、露出した部分を所定の深さだけ、CF4 ガスを用いドライエッチングして石英基板の1面に格子状の凹溝を形成する工程、(G)レジストを剥離し、クロム膜を除去する工程、を含む。
請求項（抜粋）：
石英基板の1面に格子状の凹溝を設け、これを光ファイバー加工用のグレーティング(格子)パターンとする位相シフトフォトマスクの製造方法であって、少なくとも、順に、(A)石英基板上に厚さ10〜20nmのクロム薄膜をスパッタリング等により成膜する工程、(B)前記クロム薄膜上に電子線レジストを塗布する工程、(C)電子線描画装置にて所定の領域を露光する工程、(D)所定の現像液にて電子線レジストを現像しレジストパターンを形成する工程、(E)レジストパターンをマスクとして、レジストパターンの開口部から露出した部分のクロム薄膜をCH2 CCl2 ガスを用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターンを形成する工程、(F)次いで、クロム薄膜パターンをマスクとして、石英基板のクロム薄膜パターンの開口部から露出した部分を所定の深さだけ、CF4 ガスを用いドライエッチングして石英基板の1面に格子状の凹溝を形成する工程、(G)レジストを剥離し、クロム膜を除去する工程、を含むことを特徴とする光ファイバー加工用位相シフトフォトマスクの製造方法。
IPC (7件)：
G03F 1/08
, G02B 5/18
, G02B 6/10
, G02B 6/16
, G03F 7/30
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G02B 5/18
, G02B 6/10 C
, G02B 6/16
, G03F 7/30
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
