半導体素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338867
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177048
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】下部電極15が白金族から選ばれた金属膜で構成され、キャパシタ誘電体膜が高誘電体膜17で構成されているキャパシタ21を、下地11上に具える。下部電極の剥がれを生じにくくする。【解決手段】下地と下部電極との間に、シリコン窒化膜31を具えた構造とする。

請求項（抜粋）：

下部電極が白金族から選ばれた金属膜で構成され、キャパシタ誘電体膜が高誘電体膜で構成されているキャパシタを、下地上に具える半導体素子において、前記下地と前記下部電極との間に、シリコン窒化膜を具えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

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