特許
J-GLOBAL ID：200903012177546694
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404994
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167026
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 カメラの照明、液晶のバックライト等に使用される半導体発光素子を使用した半導体発光装置であって、放熱性に優れ、光の取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】 配線7が設けられた樹脂からなる絶縁基板6と、金属またはセラミックからなる補助基板5とが接合された複合基板9に対して、絶縁基板6を貫通し、補助基板5を底面とする凹部4が設けられ、該凹部底面4c上に半導体発光素子3がダイボンドされている半導体発光装置において、凹部4の内部のうちで凹部垂直壁面4aおよび凹部傾斜壁面4bに金属めっき加工が施されている。さらに、凹部傾斜壁面4bと凹部底面4cとの境界を起点として、そこから第1面6bに向かう方向に凹部4の内径が大きくなるように前記凹部傾斜壁面4bが傾斜している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線が設けられた樹脂からなる絶縁基板と金属またはセラミックからなる補助基板とが接合された複合基板に対して、絶縁基板を貫通し、補助基板を底面とする凹部が設けられ、該凹部の底面上に半導体発光素子がダイボンドされている半導体発光装置において、
前記絶縁基板の、前記補助基板との接合面側とは反対側の面を第1面とし、
前記凹部内部であって前記第1面と底面との間の面を凹部壁面とすると、
前記凹部内部のうちで少なくとも凹部壁面に金属めっき加工が施されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA33
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA13
, 5F041DA33
, 5F041DA34
, 5F041DA36
