特許
J-GLOBAL ID：200903012192900526
サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-177909
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007353
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】二重構造のルツボを間接的に加熱し、ルツボを長寿命化できるサファイア単結晶の育成装置、およびサファイア単結晶体の作製コストを低減しながら、イリジウム由来のインクルージョンを含まないサファイア単結晶を育成する方法を提供。【解決手段】加熱室60の内部に設けられたルツボ73,76と、ルツボ73,76の上方に設けられた保温筒63,64と、加熱室60の外周に配置された加熱コイルと、加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを備え、ルツボ76を間接加熱して得られたサファイア融液77に種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げてサファイア単結晶を育成、成長させる。ルツボは、内側に配置されたモリブデン製又はタングステン製ルツボ76と、それとは近接するが互いに接触しない間隔で外側に配置されたイリジウム製ルツボ73とからなる二重構造にする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバ内に設けられた断熱材で形成される加熱室と、加熱室の内部に設けられたルツボと、ルツボの上方に設けられた保温筒と、加熱室の外周に配置された加熱コイルと、加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを備え、前記ルツボを間接加熱して得られたサファイア融液に種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げてサファイア単結晶を育成、成長させるためのサファイア単結晶育成装置において、
前記ルツボは、内側に配置されたモリブデン製又はタングステン製ルツボ(A)と、それとは近接するが互いに接触しない間隔で外側に配置されたイリジウム製ルツボ(B)とからなる二重構造にすることを特徴とするサファイア単結晶育成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077CF10
, 4G077EA05
, 4G077EA06
, 4G077EG02
, 4G077EG18
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077PD01
, 4G077PD11
, 4G077PE04
, 4G077PE16
