特許
J-GLOBAL ID：200903012205564784

半導体光チャネル型導波路および光チャネル型導波路の製造方法

発明者：
ステファン ジェイ.コバシック

ステファン ジェイ.コバシック について

, 
ジャニュ ジェイ.オジャ

ジャニュ ジェイ.オジャ について


出願人/特許権者：
ノーザン・テレコム・リミテッド

ノーザン・テレコム・リミテッド について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040383
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318830
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 同一基板上の光電子素子および電子素子の両性能を同時に最適化することができ、既存のVLSIプロセスの複雑さを過度に増すことなく製造でき、かつフォトリソグラフィの分解能に悪影響を及ぼさないようにすること。【解決手段】 VLSI(very large scale integration)集積回路とともに集積され得るチャネル型導波路の構造では、SiGe(シリコン-ゲルマニウム)合金よりなるコアと、Si(シリコン)よりなる上下のクラッド層を用いる。コアは、SiGe合金層のみで形成されていてもよいし、Si層とSiGe合金層とが交互に積層されてなる超格子で形成されていてもよい。上部クラッド層上には、離間されて配置されてなるLOCOS(局所的に酸化されたシリコン)領域が形成されており、コアにおけるチャネルの水平方向の境界を定めている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部クラッド層が形成されているとともに、上部クラッド層が設けられ、それら上下のクラッド層の間にコア層が形成され、そのコア層は上下のクラッド層よりも大きい屈折率を具えており、また導波路に沿ってコア層にチャネルが存在し、該チャネルは水平方向の境界により制限されており、さらに上下のクラッド層がシリコンを基礎とする半導体材料で形成されているとともに、コア層が少なくとも一層の半導体合金層で形成されており、水平方向の境界が、少なくとも上部クラッド層に離間して形成された第1および第2の領域により形成されていることを特徴とする半導体光チャネル型導波路。
IPC (3件)：
G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
G02B 6/12 A ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 光導波管装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-240112   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • 特開平1-256184
  • 特開平3-113428
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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