特許
J-GLOBAL ID：200903012217099122
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、及びメモリー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234284
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190630
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 熱的安定性に優れた交換結合膜付の磁気抵抗効果素子を得る。【解決手段】 磁気抵抗効果素子100は、外部磁界により容易に磁化回転する自由層101と、非磁性層103と、非磁性層103に対して自由層101側に設けられ外部磁界により容易には磁化回転しない固定層102とを含む磁気効果素子であって、固定層102は、第1交換結合用非磁性膜104と、第1交換結合用非磁性膜104を介して反強磁性的に交換結合した第1および第2磁性膜105、106とを含み、第1交換結合用非磁性膜104は、Ru、Ir、Rh、Reのいずれかの酸化物を含む。
請求項（抜粋）：
外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、非磁性層と、該非磁性層に対して該自由層と反対側に設けられ外部磁界により容易には磁化回転しない固定層とを含む磁気抵抗効果素子であって、該固定層は、第1交換結合用非磁性膜と、該第1交換結合用非磁性膜を介して反強磁性的に交換結合した第1および第2磁性膜とを含み、該第1交換結合用非磁性膜は、Ru、Ir、Rh、Reのいずれかの酸化物を含む磁気抵抗効果素子。
IPC (9件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
, G01R 33/06 R
2G017AA02
, 2G017AB05
, 2G017AD55
, 5D034AA02
, 5D034BA03
, 5D034BB01
, 5D034CA03
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA11
, 5F083JA37
, 5F083PR22
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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