特許
J-GLOBAL ID：200903049811746597

トンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者：
水口 徹也

水口 徹也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345493
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 電気抵抗が低く、良好な磁気抵抗効果を有するトンネル磁気抵抗効果素子、及びトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 少なくとも基板2上に第1の磁性層3と、当該第1の磁性層3上に形成されたトンネル障壁層4と、当該トンネル障壁層4上に形成された第2の磁性層5とを備え、上記トンネル障壁層4を介して上記第1の磁性層3及び上記第2の磁性層5の間にトンネル電流が流れるトンネル磁気抵抗効果素子であって、上記基板2と上記トンネル障壁層4との間に金属酸化物層が介在する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板上に第1の磁性層と、当該第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、当該トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備え、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れるトンネル磁気抵抗効果素子であって、上記基板と上記トンネル障壁層との間に金属酸化物層が介在することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R
Fターム (19件)：
2G017AA00 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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