特許

J-GLOBAL ID：200903012250986185

熱電変換デバイスの製造方法及び熱電変換デバイス

発明者： 杉山 進 ,  鳥山 寿之 ,  長谷部 臣哉 ,  糸魚川 貢一 ,  上野 洋
出願人/特許権者： 学校法人立命館 ,  株式会社東海理化電機製作所
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382843
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150247
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 集成された複数の熱電対を、低コストで製作できる熱電変換デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 第1金属線31a〜38a及び第2金属線31b〜38bは、第1金属線31a〜38aと同形状をなす非透光性のマスクが形成されたガラス基板を用いることにより絶縁性シート12上に形成される。即ち、第1金属線31a〜38aを形成するためのガラス基板と、第2金属線31b〜38bを形成するためのガラス基板とを個別に用意する必要がなく、その分、ガラス基板を製作するコストを低減することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基材と、 該基材上に第1金属体及び第2金属体が交互に複数個接続されて構成された熱電対群と、 を備えた熱電変換デバイスの製造方法であって、 前記基材上に前記第1金属体と同金属の第1金属膜を形成する第1金属膜形成工程と、 前記第1金属体の形状に対応したマスクが形成された透光部材を用いて、前記第1金属膜のうち前記第1金属体に対応した部位以外の部位を除去する第1リソグラフィ工程と、 前記第1金属体に対応する位置及び前記基材のうち前記第1金属体が形成されていない部位に対応する位置に前記第2金属体と同金属の第2金属膜を形成する第2金属膜形成工程と、 前記第1リソグラフィ工程を行った時の姿勢から180度回転させて配置した前記透光部材を用いて、前記第2金属膜のうち前記第2金属体に対応した部位以外の部位を除去する第2リソグラフィ工程と、 を備えたことを特徴とする熱電変換デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L35/34 ,  G01K7/02 ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 ,  H02N11/00

FI (5件)：

H01L35/34 ,  G01K7/02 A ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 A ,  H02N11/00 A

Fターム (2件)：

2F056KA01 ,  2F056KA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱電変換デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-231991   出願人：関西ティー・エル・オー株式会社

審査官引用 (2件)

• 特表平3-502859
  
• 薄膜熱電変換素子及びそれを用いた半導体デバイス及びそれを用いたプリント基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-105557   出願人：シャープ株式会社