特許
J-GLOBAL ID：200903012273884614
金属パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-082173
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268686
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】微細な金属パターンを従来より容易に形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板101を百数十度に加熱し、かつシリコン基板101とモールド104との間に電圧を印加すると、パターン141の形成部分に対応した分布の電界が樹脂膜102に対して作用し、樹脂膜102が高分子の自己組織化能により電界がより強く作用した部分に移動し、シリコン基板101の上に、樹脂パターン105が形成された状態となる。樹脂膜102においては、電界の作用した部分に凝集してパターンが形成されてモールド104の方向に成長して樹脂パターン105となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に金属が混合した高分子材料の溶液を塗布して樹脂膜が形成された状態とする工程と、
前記樹脂膜を前記高分子材料のガラス転移点以上の温度に加熱した状態で、前記樹脂膜に非接触で部分的に外力を作用させ、前記高分子材料の自己組織化によるパターンが前記基板の上に形成された状態とする工程と、
前記高分子材料のパターンより有機成分を除去し、前記金属からなるパターンが前記基板の上に形成された状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とする金属パターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/3205
, H01L21/027
, H01L21/288
H01L21/88 B
, H01L21/288 Z
, H01L21/30 502D
4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104DD51
, 4M104DD61
, 4M104DD78
, 5F033HH07
, 5F033HH15
, 5F033HH16
, 5F033PP26
, 5F033QQ00
, 5F033QQ01
, 5F033QQ73
, 5F033QQ74
, 5F033QQ76
, 5F033QQ89
, 5F033QQ99
, 5F046AA28
