特許
J-GLOBAL ID：200903012285176240
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009871
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202802
出願日： 2005年01月18日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】工程がシンプルで且つ小型化と薄型化が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】事前に半導体基板1をハーフカットして素子分離溝3を形成した上で粘着フィルム4にて固定して該粘着フィルム4と対向する半導体基板1の第二主面側を研削して分離するので、半導体基板と誘電体基板とを接着する等の煩雑な工程が必要でなくシンプルで且つ半導体装置完成品として小型化と薄型化を阻まれる要因の無い半導体装置の製造方法とする事ができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
片側の面に電極を有する半導体装置において、
半導体基板の第一主面側に複数の半導体素子形成領域を有し、該半導体基板の第一主面から前記半導体素子形成領域よりも深く縦横にハーフカットを施して各々の前記半導体素子形成領域間に素子分離溝を形成し、該素子分離溝と前記半導体素子形成領域とを含む前記半導体基板の第一主面に粘着フィルムを貼り付けて固定する素子分離工程と、
前記半導体基板の第二主面側から研削して厚み調整し、該半導体基板の第二主面に前記素子分離溝を開口させて前記粘着フィルム上に前記半導体基板を完全分離して固定する研削工程と、
前記研削工程にて得た中間生成物をモールド用樹脂を用いて前記半導体基板の第二主面と素子分離溝とを含む前記粘着フィルム上を覆ったモールド樹脂を形成するモールド工程と、
前記粘着フィルムを剥離除去し、前記半導体素子形成領域の外部コンタクト予定部上に電極を形成する電極形成工程と、
前記モールド樹脂の第一主面から第二主面までをダイシングを施して縦横にダイシング間隙を設けて前記半導体素子形成領域と前記電極とを含んだ前記半導体基板の側面と第二主面とを前記モールド樹脂が覆った完成品として半導体装置に個別分離する完成分離工程とを含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 25/18
, H01L 25/04
H01L23/12 501C
, H01L25/04 Z
