半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246080
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111491
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、放熱板を設けてなる樹脂封止型半導体装置において、放熱特性を損うことなく、ボンディングの接合性を飛躍的に向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、半導体チップ11が搭載されるベッド13の外側に間隙を有して放熱板14を配置する。デプレスにより、吊りピン15を折り曲げて熱板14をベッド13よりも高い位置に配置する。この放熱板14の下面に、熱可塑性テープ16によりリードフレーム17を固着する。そして、そのインナリード17aとチップ11上の電極パッド11aとをAuワイヤ18を介して個々に接続した後、周囲を樹脂19により封止する構成とされている。このように、インナリード17aのボンド点の直下に熱可塑性テープ16を配しない構成とすることで、絶縁テープの影響を受けずに、安定したボンディングが可能となる。

請求項（抜粋）：

電極を有する半導体素子と、この素子が搭載される素子搭載部と、この搭載部の外側に間隙を有して配置され、かつ部分的に前記搭載部につながる放熱部と、この放熱部の一面に固着され、かつ先端部が前記搭載部と前記放熱部との間の間隙に延在されて、前記半導体素子の電極とワイヤボンディング接続されるリード配線と、このリード配線の前記ボンディング点を含んで前記半導体素子を封止する封止体とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/50 , C09J 5/00 JGL , C09J 7/00 JHL , H01L 23/12 , H01L 23/28

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-174551
特開昭59-155159
積層型リードフレームおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338068 出願人：株式会社三井ハイテック

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